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IP명 Supply Modulator with Offset circuit for CMOS Power Amplifier Applications
Category RF Application RF
실설계면적 5㎛ X 5㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 동작속도 900MHz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-1802
IP개요 무선이동통신 기술의 발전과 함께 데이터 속도도 빠르게 증가하고 있다. 점점 더 증가하는 데이터 비트 레이트를 가지는 무선통신환경 속에서 신호의 PAPR(Peak to Average Power Ratio)는 증가하고 있으며 이러한 신호로 인해 RF PA는 효율이 감소하는 상황에 놓여있다. 이러한 효율감소는 단말기의 효율 감소로 이어지며 배터리 사용시간을 감소시킨다. RF PA의 효율을 증가시키기 위한 방법 중 Envelope Tracking 기법이 있다. Envelope Tracking은 입력에 따른 RF PA에 공급하는 전압을 가변시켜 효율을 개선시킨다. Envelope Tracking을 위해서는 입력에 따라 전압을 가변시켜주는 회로인 Supply Modulator가 필요하게 된다. 이 논문에서는 제안하는 구조를 이용한 Supply modulator를 0.18-μm CMOS process을 이용하여 설계하였다. 제안하는 구조는 Supply Modulator의 출력 전압을 offset만큼 상승시키는 회로를 추가하였고 Diode와 저항으로 구성하였다. 설계 전압은 3.3 V, 최대 동작주파수 20 MHz, 회로 타입은 Mixed타입으로 설계되었다
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