IP명 | 이득제어 기법을 사용한 CMOS 65 nm Ku-band 저잡음 증폭기 | ||
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Category | Analog | Application | Wireless Communication |
실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.2V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 28.5GHz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS65-1902 |
IP개요 | 본 신청서에서 설계하는 Ku-band 저잡음 증폭기는 이득제어 기법을 활용하여 dynamic range를 향상시킨다. 동작 대역은 14 GHz에서 16 GHz를 목표로 하였고 65 nm CMOS 공정을 사용한다. 또한 전력소모를 최소화 하기 위해 common-source와 cascode단 모두 1 V의 공급전압을 사용한다. 설계한 저잡음 증폭기는 동작대역 내에서 20.1 dB의 이득과 1.87 dB 이하의 noise figure를 가진다. 또한 7.6 dB의 이득 제어를 통해 9.7dBm의 IP1dB를 향상시켰다. |
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