| IP개요 |
본 회로는 외부 커패시터 없이 넓은 주파수 영역에서 높은 전원 잡음제거 능력을 가지는 LDO를 제안하였다. 제안하는 LDO는 높은 주파수 영역에서 PSR 특성이 떨어지는 단점을 보완하기 위하여 High-pass 필터를 사용하였으며, 출력 저항 ????????????????에 대한 영향을 줄이기 위하여 출력 단에 Power MOSFET 와 NMOS를 병렬로 구성하여 높은 PSR 특성을 얻게 한다. 뿐만 아니라 NMOS를 삽입 함으로써 부하의 변화에 빠르게 대응 할 수 있다. 또한 외부 커패시터가 존재하지 않기 때문에 Miller 커패시터를 삽입하여 안정성에 대한 이슈를 해결 하였다. 그 결과 문제가 되는 DC-DC Converter의 스위칭 주파수(약 100KHz~수 MHz)영역에서의 PSR뿐만 아니라 넓은 주파수 범위에서의 PSR특성을 개선하였다. 따라서 큰 외부 커패시터를 사용하지 않으면서도 높은 PSR 특성을 가지기 때문에 임베디드 시스템에서 최적의 성능을 가지는 하나의 방법이 된다. 본 설계는 CMOS 0.18㎛공정을 사용하여 설계하였으며 시뮬레이션 결과와 이론을 증명하였다. 제안하는 LDO는 10MHz에서 -23dB, 100MHz 에서 -40dB 의 PSR 시뮬레이션 결과를 얻었다. |
