IP명 | Design of Low Noise Amplifier Using RF CMOS Process | ||
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Category | RF | Application | Flatness gain Low noise amplifier |
실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 12GHz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-1901 |
IP개요 | RF CMOS 기술을 사용하여 RF 수신기에서 가장 중요한 저잡음 증폭기를 설계한다. 회로 유형으로서 LNA는 CS 2 단 구조로 설계한다. | ||
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