| IP명 | Back-bias Voltage Generator | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | Memory |
| 실설계면적 | 2.5㎛ X 5㎛ | 공급 전압 | 0.85V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | DB180-2201 |
| IP개요 | The proposed circuit is back bias voltage generator for memory, and it is implemented in BCDMOS 180nm process. | ||
- 레이아웃 사진 -
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