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IP명 Design of Low Noise Amplifier Using RF CMOS Process
Category RF Application Flatness gain Low noise amplifier
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1V
IP유형 Hard IP 동작속도 12GHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-1901
IP개요 RF CMOS 기술을 사용하여 RF 수신기에서 가장 중요한 저잡음 증폭기를 설계한다. 회로 유형으로서 LNA는 CS 2 단 구조로 설계한다.
- 레이아웃 사진 -