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IP명 Stacked-FET
Category Analog Application Power Amplifier
실설계면적 3.8㎛ X 3.8㎛ 공급 전압 1.8V
IP유형 Hard IP 동작속도 2.4GHz
검증단계 Silicon 참여공정 MS180-1402
IP개요 고주파 Power Amplifier 에서 중간단 정합을 통해 임피던스 매칭을 해줌으로써, CMOS 고주파 성질에 따른 기생 커패시턴스를 없애는 회로
- 레이아웃 사진 -