IP명 | Stacked-FET | ||
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Category | Analog | Application | Power Amplifier |
실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2.4GHz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1402 |
IP개요 | 고주파 Power Amplifier 에서 중간단 정합을 통해 임피던스 매칭을 해줌으로써, CMOS 고주파 성질에 따른 기생 커패시턴스를 없애는 회로 | ||
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