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IP명 CMOS Power Amplifier with improved Eff in the Low Power
Category RF Application Power Amplifier
실설계면적 2.35㎛ X 2.35㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 Hard IP 동작속도 2.4 GHz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-1403
IP개요 현재 Si CMOS 공정을 이용한 PA에 대한 많은 연구가 진행되고 있다.
본 연구에서는 Fullly integrated 회로에서 사용되는 수동 소자들의
낮은 Quality factor 에 의한 문제들을 해결하기 위한
다양한 Inductor pattern들을 설계하였다.
- 레이아웃 사진 -