| IP명 | CMOS Power Amplifier with improved Eff in the Low Power | ||
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| Category | RF | Application | PA |
| 실설계면적 | 2.35㎛ X 2.35㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 1GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | DB180-1401 |
| IP개요 | 현재 실리콘 CMOS 공정을 이용하여 PA를 만드는 많은 연구가 진행되고 있으며 공정상의 문제 뿐만 아니라 대다수 PA가 가지는 저전력에서의 낮은 효율이 문제되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 PA에서 ESD에 대한 문제를 해결하기 위한 회로를 설계하였다. |
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- 레이아웃 사진 -
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