IP명 DRAM용 Refresh 전류 감지 및 예측회로 Category Analog Application DRAM 실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1.1V IP유형 Hard IP 동작속도 100MHz 검증단계 Simulation 참여공정 SS28-2001 IP개요 DRAM용 Refresh 전류 감지 및 예측회로 - 레이아웃 사진 -