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IP명 실시간 대면적 고성능 테라헤르츠 검출기 평가 및 이미징 시스템
Category Analog Application sensor
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1V
IP유형 Hard IP 동작속도 100kHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-2101
IP개요 MOSFET 의 소스 및 드레인 자체영역 만으로 테라헤르츠 대역 신호를 수신 가능한 Monolithic Transistor-antenna 융합소자 제작하였다. 큰 이동도를 이용해 테라헤르츠 검출 소자로 사용되는 HEMT와 달리 저비용의 실리콘 기반 FET는 작은 모빌리티와 상대적으로 큰 게이트길이로 인해 비공진조건으로 작동가능하며 비대칭구조를 통해 성능을 향상 시킬 수 있다. 이에 극대화된 비대칭구조를 이용하여 고성능 테라헤르츠 검출 소자를 제작하였다.
- 레이아웃 사진 -