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IP명 다이폴 전이구조가 집적된 H-대역 고출력 차동 발진기 집적회로 설계
Category Analog Application RF 통신
실설계면적 3㎛ X 3㎛ 공급 전압 1.8(~3.7)V
IP유형 Hard IP 동작속도 270 GHz
검증단계 Silicon 참여공정 HM-2102
IP개요 기생 성분에 의한 특성 저하 및 고출력 특성을 얻기 위하여 고조파를 고려한 차동 발진기를 설계한다. 또한, 더 높은 출력 전력 특성을 위해 버퍼 증폭기를 사용하여 H-band 신호의 크기를 증폭한다. 설계된 회로를 금속 도파관에 모듈화하기 위해 차동 발진기와 온-칩 다이폴 트랜지션을 집적한다. 본 연구를 통해 테라헤르츠 전자 시스템 구현에 적용할 수 있도록 한다.
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