| IP명 | Design of H-band Power Amplifiers in 250-nm InP DHBT Technology | ||
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| Category | Analog | Application | Wireless communication |
| 실설계면적 | 3㎛ X 3㎛ | 공급 전압 | 4V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 300GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | HM-2102 |
| IP개요 | 최근 THz 대역의 광대역 특성을 이용한 수십 Gbps급의 초광대역, 초고속 통신 시스템 및 고해상도 이미징 시스템의 설계가 각광 받고 있다. 이러한 시스템의 구현을 위해서는 광대역에서 동작하는 고출력 송신기가 필수적이지만, 공정 성능의 한계로 설계에 어려움을 겪고 있다. 본 설계에는 최신 Teledyne 250-nm InP HBT 공정(fmax > 650 GHz)을 이용하여 300 GHz에서 동작하는 고출력 PA 및 신호원을 담고있다. |
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