IP명 | Cell Supply Voltage and Bitline Charge Sharing Write Assist Circuitry for Energy-Efficient Near-Threshold Operation | ||
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Category | Analog | Application | Automotive application |
실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 0.8~0.5V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10MHz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2102 |
IP개요 | 해당 IP는 차량용 반도체에서 요구되는 가혹한 환경 조건에서도 안정적으로 동작 가능한 SRAM cell 및 이를 위한 주변 회로 및 Assist를 포함한다. Data에 따라 쓰기 동작을 위해 cell의 pull-up path를 선택된 cell에 한정하여 끊을 수 있는 14T SRAM cell-based write assist 기법이 적용되었다. 또한 ECC 및 cross-sensing을 결합하여 읽기 수율을 크가 증가시키는 기법 또한 적용되었다. 이를 통해 기존 사용되던 SRAM 대비 높은 읽기/쓰기 수율을 가혹한 환경(고온/저온, 낮은 공급 전압)에서도 기대할 수 있다. | ||
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