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IP명 Cell Supply Voltage and Bitline Charge Sharing Write Assist Circuitry for Energy-Efficient Near-Threshold Operation
Category Analog Application Automotive application
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 0.8~0.5V
IP유형 Hard IP 동작속도 10MHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-2102
IP개요 해당 IP는 차량용 반도체에서 요구되는 가혹한 환경 조건에서도 안정적으로 동작 가능한 SRAM cell 및 이를 위한 주변 회로 및 Assist를 포함한다. Data에 따라 쓰기 동작을 위해 cell의 pull-up path를 선택된 cell에 한정하여 끊을 수 있는 14T SRAM cell-based write assist 기법이 적용되었다. 또한 ECC 및 cross-sensing을 결합하여 읽기 수율을 크가 증가시키는 기법 또한 적용되었다. 이를 통해 기존 사용되던 SRAM 대비 높은 읽기/쓰기 수율을 가혹한 환경(고온/저온, 낮은 공급 전압)에서도 기대할 수 있다.
- 레이아웃 사진 -