강의목표
본 강의에서는 파워반도체 최신 기술 동향을 이해하고 파워반도체의 핵심적인 소자인 Diode, MOSFET, IGBT 및 SiC Device 의 구조 및 전기적 특성, Ruggedness 에 대하여 학습하도록 한다.
강의개요
- 파워반도체 기술 동향 및 응용 분야
- Breakdown Mechanism 및 Edge Termination
- Power Diode 동작 원리 및 정특성, 동특성 이해
- Power MOSFET의 구조, 동작원리 및 전기적 특성 이해
- IGBT의 구조, 동작원리, 핵심공정 및 전기적 특성, Short Circuit 특성 이해
- SiC Device 구조, 동작원리 및 전기적 특성, Short Circuit 특성 이해
참고사항
♦ 재직자 우선 교육이므로 재직자만 온라인 교육 추가 등록 가능합니다.
♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5 문제 통과 시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강 신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소 처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석 시, 추후 3개월 간 수강 신청이 자동 차단됩니다. (취소는 홈페이지에서 직접 가능)
♦ 10/31 (목) 10:00-12:00 제6공학관 6309-2호, 13:30-17:30 제10공학관 10304호
♦ 11/1 (금) 10:00-17:30 제8공학관 8307호
♦ 날짜 별 강의 장소가 변경되니 이 점 유의해주시기 바랍니다.
강좌상세
| 일자 |
2024-10-31 |
시간 |
10:00 ~ 12:00 |
강사 |
오광훈 산학협력교수 성균관대학교 |
| 내용 |
○ 파워반도체 기술 동향 및 응용 분야
○ 파워반도체 Breakdown Mechanism 및 Edge Termination (1)
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| 일자 |
2024-10-31 |
시간 |
13:30 ~ 17:30 |
강사 |
오광훈 산학협력교수 성균관대학교 |
| 내용 |
○ 파워반도체 Breakdown Mechanism 및 Edge Termination (2)
○ Power Diode 동작 원리 및 정특성, 동특성 이해
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| 일자 |
2024-11-01 |
시간 |
10:00 ~ 12:00 |
강사 |
오광훈 산학협력교수 성균관대학교 |
| 내용 |
○ Power MOSFET의 구조, 동작원리 및 전기적 특성 이해 |
| 일자 |
2024-11-01 |
시간 |
13:30 ~ 17:30 |
강사 |
오광훈 산학협력교수 성균관대학교 |
| 내용 |
○ IGBT의 구조, 동작원리, 핵심공정 및 전기적 특성, Short Circuit 특성 이해
○ SiC Device 구조, 동작원리 및 전기적 특성, Short Circuit 특성 이해 |
강의장소
♦ 10/31 (목) 10:00-12:00 제6공학관 6309-2호, 13:30-17:30 제10공학관 10304호
♦ 11/1 (금) 10:00-17:30 제8공학관 8307호
담당자 연락처
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