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캠퍼스 고려대-아카데미 구분 설계강좌 / 공통 / 초급 / 이론 신청중 
강의제목 최신 MOSFET 소자의 이해 및 제작공정
강의일자 2026-08-18 ~ 2026-08-19 신청 및 취소기간 재직자 : 2026-07-23 00:00 ~ 2026-07-29 23:59
전  체  : 2026-07-30 00:00 ~ 2026-07-29 23:59
강의형태 대면 신청현황 1/20명
강의형태 온라인 신청현황 7/70명
수강료(일반) 무료 수강료(학생) 무료
수강대상 재직자
사전지식
선수과목
물리전자공학, 회로이론, 반도체공학
강의목표

반도체 분야를 전공하거나 관심을 갖고 있는 학부생, 대학원생, 산업체 관련 분야의 실무자 및 연구개발자들에게 광범위한 반도체 기술의 핵심인 MOSFET 소자의 구조와 동작 원리, 제작을 위한 집적공정 과정을 교육한다.

강의개요

MOSFET 소자의 구조와 동작 원리, 주요 성능 지표들의 정의와 의미를 이해하고, 이를 토대로 반도체 소자의 미세화가 이루어지면서 발생하는 비이상적인 동작 특성들의 종류와 원인을 분석한다. 세계반도체기술지도를 중심으로 최신기술동향을 파악하고, 집적회로에서 요구되는 MOSFET의 성능 요건과 설계 및 집적공정 과정에서의 고려 사항들을 살펴본다.

참고사항

♦ (!중요!) 비재직자 신청 기간은 8/11 ~ 8/13 입니다.

♦ (!중요!) 대면 강의는 점심 식사가 제공됩니다. 부득이하게 참석이 불가능할시 반드시 신청기한 내에 수강취소 부탁드립니다.
♦ (!중요!) 강의안내(zoom url 포함)는 강의 1일전 메일로 안내되고 있으니, 메일함(스팸메일함)을 확인하여 주시기 바랍니다.
♦ (!중요!) 재직자 우선 신청 강의입니다. 비재직자 신청은 강의 일주일 전부터 가능합니다.

♦ 출석 100%, 퀴즈 3/5문제 통과시 수료증이 발급됩니다.
♦ 수강신청 기간 내에 홈페이지에서 수강 취소해야 정상 취소처리 됩니다.
♦ 1개 교육에 대해 전일 결석시, 향후 8개월간 수강 신청이 자동으로 제한되며, 기존 수강신청도 전면 취소됩니다

강좌상세
일자 2026-08-18 시간 10:00 ~ 12:00 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오전 시간 : 10:00 ~ 12:00] 반도체 물리전자
○ 전류 형성의 메커니즘: 표동과 확산
○ 접합의 종류와 에너지밴드 다이어그램
○ 반도체소자의 성능을 결정하는 주요 물성 및 공정 파라미터
일자 2026-08-18 시간 13:00 ~ 15:30 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오후 시간 : 13:00 ~ 15:30] pn 다이오드 및 MOS 커패시터
○ pn 접합 다이오드의 정전기적 해석과 등가회로
○ MOSCAP의 구조와 게이트 전압에 따른 상태 변화
○ MOSCAP의 C-V 특성 및 주파수 의존성
일자 2026-08-18 시간 15:30 ~ 18:00 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오후 시간 : 15:30 ~ 18:00] 트랜지스터와 MOSFET
○ 트랜지스터의 전달 및 출력 특성의 이해
○ MOSFET의 구조와 동작 원리
○ 문턱 전압의 정의(물리적 정의, 수학적 정의, 직관적 정의)
일자 2026-08-19 시간 10:00 ~ 12:00 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오전 시간 : 10:00 ~ 12:00] MOSFET의 미세화와 짧은 채널 효과
○ 컴퓨터와 반도체 소자 기술의 발전
○ MOSFET scaling
○ 짧은 채널 효과: 전하 공유와 문턱 전압 강하, DIBL(반도체의 정전기적 비유연성), GIDL, 탄도 전송 및 표동 속도 오버슛
○ IRDS로 살펴보는 반도체 기술(low power/high performance)
일자 2026-08-19 시간 13:00 ~ 15:30 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오후 시간 : 13:00 ~ 15:30] MOSFET 제작 공정(CMOS inverter)
○ CMOS 인버터 제작을 위한 집적공정
○ ERD: SOI MOSFET, double-gate FET, tri-gate FET, GAAFET
○ strained Si 기술 및 HKMG 기술
○ 새로운 메커니즘 기반의 MOSFET 소자 기술과 DD의 중요성
일자 2026-08-19 시간 15:30 ~ 18:00 강사 조성재 교수 이화여자대학교
내용 [오후 시간 : 15:30 ~ 18:00] 집적회로 응용을 위한 MOSFET 요건
○ 아날로그 및 디지털 집적회로에서의 MOSFET 소자의 요건
○ MBC(multi-bridge channel) FET과 다중 채널 구조의 필요성
○ 고속 동작 파라미터와 반도체공정과의 관계
○ 인공지능과 반도체(foundry 기술과 기술 노드 선점 경쟁)
○ 환경과 에너지 위기 극복을 위한 반도체 기술의 방향성
강의장소

고려대학교 창의관 지하 1층 B128호

담당자 연락처
  • 고려대-아카데미 담당자 : 공도웅
  • 연락처 : 02-3290-3941
  • 이메일 : ehdnd00@korea.ac.kr

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