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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 single shot pulse generator with testing devices
Category Analog Application Device properties test
실설계면적 2㎛ X 4㎛ 공급 전압 1V
IP유형 Hard IP 동작속도 10MHz
검증단계 Simulation 참여공정 SS28-2001
IP개요 MOSFET 소자의 열화 특성을 실험하기 위해 각각 다른 사이즈의 MOSFET 소자들의 드레인과 게이트 단자를 입/출력 핀으로 사용하며, 시스템적으로 일정 주기의 펄스파를 생성해주는 회로를 포함하여 테스트 소자의 게이트 단자에 짧은 펄스폭을 가진 펄스파를 입력하도록 했습니다.
추후 MOSFET 소자가 동작할 때, 소자의 열화 정도를 측정하기 위해 전류/전압 특성의 변화량 데이터를 수집하여 연구에 활용할 계획입니다.
- 레이아웃 사진 -