IP명 | Design of a Beta Ray Sensor | ||
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Category | Analog | Application | 신호처리 |
실설계면적 | 5㎛ X 2.5㎛ | 공급 전압 | 5V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 000Hz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | DB180-2101 |
IP개요 | 본 IP는 PMOS 피드백 트랜지스터의 게이트를 DC 전압으로 바이어스하는 대신 PMOS 피드백 트랜지스터에 흐르는 전류가 PVT 변동에 둔감하도록 설계된 전류 바이어스 회로를 mirroring하게 흐르도록 하므로 CSA의 signal voltage의 변동을 최소화시키는 기술임]. 또한 노이즈를 줄이고 shaping time을 줄이기 위해 High Pass Filter와 Low Pass Filter를 사용한 pulse shaper를 사용한 베타선 센서임. | ||
- 레이아웃 사진 - |