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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 Digital eDRAM CIM
Category Mixed Application Compute in Memory
실설계면적 1㎛ X 2㎛ 공급 전압 1.0V
IP유형 Hard IP 동작속도 200MHz
검증단계 Silicon 참여공정 HM-2102
IP개요 2T eDRAM cell을 이용하여 Digital 방식의 MAC 연산을 메모리 어레이 내에서 수행할 수 있도록 2T eDRAM cell array와 adder tree를 합쳐 어레이를 구성하고 더해진 연산 결과를 post accumulator를 이용하여 최종 출력을 얻을 수 있습니다. 또한, MOM cap을 이용해 cell의 retention time을 늘려 refresh로 인한 power 및 performance overhead를 감소시켰으며, refresh와 CIM연산을 동시에 수행할 수 있도록 구현하여 전체 연산 소요시간을 단축시켰습니다.
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