| IP개요 |
음 전압 생성기는 단일 스테이지로 구성되어 -VCC를 제공하거나, 여러 스테이지로 구성되어 높은 수준의 음의 전압을 생성할 수 있는 회로로 메모리 회로 설계 분야에서 음의 전압은 다양한 상황에서 사용됩니다. DRAM 에서는 액세스 트랜지스터의 벌크 터미널에 음의 전압을 인가함으로써 문턱 전압을 높여 동작의 안정성을 높일 수 있습니다. 플래시 메모리에서는 플로팅 게이트 내의 전하를 바깥으로 이동시키는 지우기 (Erase) 동작을 수행하기 위해 메모리 셀 트랜지스터의 컨트롤 게이트에 큰 음의 전압을 인가하여야 합니다. 제안하는 음 전압 생성기는 단일 스테이지 구조에 1개의 펌핑 커패시터와 4개의 트랜지스터 구조의 음 전압 생성기를 제안하며, 기존 방식의 구조적 복잡성을 낮추고, 동작 안정성을 높이고자 하였습니다. 해당 MPW (Multi-Project Wafer) 신청서는 제안하는 음 전압 생성기의 구조 및 그 동작을 설명하며, MPW 채택 시 그것의 설계 방법, 측정 방법 등을 기술합니다. |
