| IP명 | Self-Generated Reference Technique with Dual-Reference Sense Amplifier for High-Reliability STT-MRAM | ||
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| Category | Mixed | Application | memory |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.0/1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SF028-2501 |
| IP개요 | STT-MRAM의 읽기 여유 마진과 비트 오류율(BER)을 효과적으로 개선하는 기술을 제안한다. 제안된 기술은 어레이 내에서 worst P 셀과 AP 셀을 정확히 찾아내 이를 센스 앰프(Sense Amplifier, SA)의 레퍼런스로 사용하여 읽기 과정의 정확성을 현저하게 높인다. |
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- 레이아웃 사진 -
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