| IP명 | ZQ 및 Hybrid Calibration 기반 차세대 메모리 인터페이스용 Single-Ended PAM-3/NRZ 동시 양방향 송수신기 | ||
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| Category | Mixed | Application | Memory Interfaces |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10GbpsHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS028-2601 |
| IP개요 | 본 회로에서는 차세대 메모리 인터페이스를 위한 PAM-3 및 NRZ 모드를 모두 지원하는 simultaneous bidirectional(SBD) 송수신기를 제안한다. 제안하는 구조는 reduced supply 동작을 적용한 unified voltage-mode(VM) driver를 사용함으로써 에너지 효율을 개선하며, 추가적인 analog 복잡도 없이 outbound signal을 제거하기 위해 voltage 및 current–resistance(V-IR) addition scheme을 적용한다. 또한 단일 ZQ pin을 impedance calibration과 hybrid balancing에 함께 재사용함으로써 회로 overhead를 최소화하면서 동작 안정성을 향상시킬 수 있다. 결과적으로 본 회로는 향후 메모리 시스템에 적합한 에너지 효율적인 multi-level SBD signaling 구조를 제공한다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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