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IP명 Active Gate Driver for Current Imbalance Mitigation and Power Consumption Reduction in Parallel SiC MOSFETs
Category Mixed Application SiC MOSFETs
실설계면적 5㎛ X 2.42㎛ 공급 전압 20V
IP유형 Hard IP 동작속도 150MHz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-2601
IP개요 parallel SiC MOSFET 구동 환경에서 current sharing 성능 향상, 신뢰성 개선, 저전력
gate driver 구현
- 레이아웃 사진 -