| IP명 | 130 nm BCD-based Single-Photon Avalanche Diodes for Image Sensor Implementation | ||
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| Category | Analog | Application | SPAD farm |
| 실설계면적 | 3550㎛ X 3550㎛ | 공급 전압 | 20V |
| IP유형 | 동작속도 | 0Hz | |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SB130-2601 |
| IP개요 | SPAD 소자 설계로, 다양한 junction 조합과 다양한 size split의 소자들을 설계하였으며 총 420개의 소자가 설계되어 있다. Anode, Cathode 두개의 PAD를 포함한 하나의 SPAD 소자는 100um * 250um size로 하나의 행에 총 32개의 소자가 설계되어 있고, 총 13행으로 이루어져있다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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