| IP명 | SOT-MRAM 인메모리 컴퓨팅을 위한 PVT 변화에 강인한 고선형 CCO 기반 ADC | ||
|---|---|---|---|
| Category | Mixed | Application | In-memory computing |
| 실설계면적 | 1㎛ X 1㎛ | 공급 전압 | 0.9, 1.4V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 30MHz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | SF028-2601 |
| IP개요 | 본 설계는 SOT-MRAM 어레이를 활용하여 컬럼 전류를 고선형, 저전력 CCO 기반 ADC로 변환하는 아날로그 CIM(Computing-in-Memory) 구조를 제안한다. | ||
- 레이아웃 사진 -
|
|||