| IP명 | A Sub-terahertz Detector in 65 nm CMOS | ||
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| Category | Analog | Application | Sub-terahertz detectors |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.2V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 250GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS065-1601 |
| IP개요 | Sub-terahertz detector components - Terahertz on-chip antenna - Plasma wave transistor structures - DIC-QVCO structure - Schottky-diode test structures - AMOS test structures |
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- 레이아웃 사진 -
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