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ESD, GROUND_ESD label을 추가 해야 합니다. POWER, Ground pad에서 Bulk연결하면 해결 ..

ESDCHK or DRCBL)) 이는 PTAB안에 LIMISOMV영역 정의가 있어야 되는 것으로, LIMVI..

ESD목적으로 사용된는게 맞을까요??     감사합니다! -김태령올림-

ESD용도는 아닙니다.   그림1. 그림2.   감사합니다. 이종행 드림 ..

ESD, noise 관점에서의 질문입니다.     2개 Power cell의 두드러지는 차이..

ESD Cell이 PAD 인지 3. 그렇지 않다면, 따로 자체 제작을 해야하는지 알려주시면 감사..

ESD cell 사용바랍니다.    PWR clamp :          ..

ESD 기능을 위해 SBL 소자가 적용되어 있고 DRC design rule도 I/O rule 적용하여 소자..

ESD 패드가 필요하여 merge 작업을 진행하려 하고 있습니다.   우선 merge 계정에..

ESD 패드가 필요하여 merge 작업을 진행하려 하고 있습니다.   우선 merge 계정에..

ESD PAD가 필요한데 ESD PAD를 사용하려면 merge 작업을 진행해야 되는 것으로 알고있습..

ESD 가 포함되어 있기는 합니다. 다만, I/O Cell 을 사용하려면 cell 들의 종류 및 구조..

ESD_polyb는 HYBRID layer 위에 형성되어야만 하는데, 저희는 HYBRID layer를 사용하지 ..

ESD_polyb는 HYBRID layer 위에 형성되어야만 하는데, 저희는 HYBRID layer를 사용하지 ..

안녕하세요, 서울대학교 전동석교수님 연구실 이동권입니다.   SF28-2401회차 MP..

   우선 해당 LVS 를 merge 계정에서 merge 를 완료한 후에 진행한 것인지 확..

 답변감사드립니다. 우선 merge계정에서 merge를 완료한 후 진행한 것이 맞고 동일..

 위 질문과 관련하여, ESD 소자에서 발생하는 bad device가 원인인 것으로 추측되는..

 해당 이슈는 제가 직접 진행 해 봐야 할 듯 합니다.   다음주 까지 외..

ESD에러가 추가적으로 발생하였는데 이 경우도 해결을 해야하는지, DRC 사유서에 추가만 ..

ESD) 키워드 : 수율

ESD, I/O 설계) 교육방법 :● 이론 교육 후, 각각의 회로 해석 다음, 반드시 PSPICE 또..

ESD 회로의 개요 및 설계 교육방법 : ● 이론 교육 후, 인버터의 DC 특성 및 스위칭 ..

ESD protection device with high holding voltage using segment topology for 150V app..

ESD protection device with high holding voltage using N-drift region for 120V appli..

ESD protection device with improved snapback using gate body floating technology fo..

A Gate-Body Floating NMOSFET with high holding voltage for High voltage ESD protect..

ESD Protection device with Dual-Directional using N-bridge region in 0.18 hynix pro..

ESD Protection device with Dual-Directional and improved snapback performance in 0...

ESD Protection device with high holding voltage in 0.18 Hynix BCD Process

ESD Protection circuit with gate-biasing using skhynix 0.18um process

ESD Protection circuit with floating well region technology using skhynix 0.18um pr..

ESD Protection circuit with additional implant using skhynix 0.18um process

ESD Protection circuit with additional NPN path using skhynix 0.18um process