-1일차: 전력반도체 전반에 대한 리뷰, 실리콘카바이드 공정 리뷰, 전력반도체의 항복전압과 소자의 외곽 설계 방법, 쇼키정션 다이오드, 파워 모스펫의 기본에 대한 이해
-2일차: 파워 모스펫의 동적 특성, IGBT 소자에 대한 이해, 슈퍼정션 소자에 대한 이해, 양극 소자의 특수 동작 현상.
사전지식
반도체 소자, 물리 전자
참고사항
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6시간
강해민/박사/University of Cambridge
○ 전력 반도체 개요 및 분류 (Power device overview)
○ 실리콘카바이드 공정 리뷰 (Review of SiC process)
○ 쇼키 다이오드 (Schottky diode)
○ 항복 전압과 소자의 외곽 설계
○ 파워 MOSFETs의 정적 특성 (Power MOSFETs’ static characteristics)
93
6시간
강해민/박사/University of Cambridge
○ 파워 MOSFETs의 동적 특성 (Power MOSFETs’ dynamic characteristics)
○ IGBTs 의 정적 특성 (IGBTs’ static characteristics)
○ IGBTs 의 동적 특성 (IGBTs’ dynamic characteristics)
○ 슈퍼정션 디바이스 1부 (Superjunction devices: Part 1)
○ 슈퍼정션 디바이스 2부(Superjunction devices: Part 2)
