| 강의제목 |
Silicon Power Device & Simulation1
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| 구분 |
부산대 /
설계강좌 / 초급 / 이론+실습 |
| 강의시간 |
10시간 17분 |
열람기간 |
14일 |
| 이용료(일반) |
무료 |
이용료(학생) |
무료 |
강의개요
-이론 : 전력용 반도체 소자의 특성 이해, Silicon Power MOSFET의 한계 및 한계를 극복하기 위한 다양한 방법들에 대한 이해
-실습 : TCAD Sentaurus의 기초 + 전력용 반도체 소자 Simulation을 직접 수행하기 위한 기본 지식 습득
사전지식
반도체 소자, 전자회로, 고체전자물리, TCAD Simulation
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| 강의시간 |
강사(이름/직급/소속) |
내용 |
보기 | 조회수 |
| 5시간 20분 |
임지용 팀장 메그나칩 |
○ 반도체의 기초
○ 전력용 반도체 소자의 기초
○ Silicon Power MOSFET의 특성과 한계
○ TCAD Simulation의 목적과 TCAD Sentaurus 소개 |
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| 4시간 57분 |
임지용 팀장 메그나칩 |
○ TCAD Sentaurus 실습 및 예제 활용법
○ Silicon Power MOFSET의 한계를 극복하기 위한 방안들
○ Superjunction (SJ) MOSFET Device Physics & Modeling
○ IGBT / FRD Device Physics & Modeling
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담당자 연락처
- 담당자 : 전우숙
- 연락처 : 042-350-4425
- 이메일 : mayj@kaist.ac.kr
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| 강의자료 |
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