| IP명 | A 28nm 36kb Computing-in-Memory Macro with Simultaneous Computation and Refresh/Weight-Update using 4T1C Dual-Port Embedded DRAM | ||
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| Category | Analog | Application | Memory Application |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.1 ~ -0.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 250MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2301 |
| IP개요 | 해당 IP는 eDRAM 기반의 Computing-In-Memory (CIM)의 연산 효율성을 높이기 위한 cell 개발 및 주변 회로를 포함한다. eDRAM에서 필수적으로 발생하는 refresh overhead를 제거하기 위해 연산 path와 refresh path를 분리하여 refresh 과정중에 연산을 지속적으로 수행할 수 있으며, charge-domain 연산 방식을 사용하여 PVT에 tolerant하며, 연산량을 극대화할 수 있도록 설계하였다.또한 ADC에서 발생하는 많은 energy & area overhead를 줄이기 위해 기존과 다른 방식의 ADC reduction scheme을 추가하여 전체 energy 효율성 및 area 효율성 증가를 가능하게 한다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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