| IP개요 |
Abstract – 본 MPW에서는 IoT 기기, Edge 기기와 같은 분야에 활용할 수 있는 저전력 고효율 Processing-in-Memory (PIM) 가속기를 제작한다. DRAM cell의 구조와 같은 1T-1C 셀을 그대로 이용하여 DRAM 내부에 집적이 용이하며 데이터와 근접한 메모리에서 연산을 수행함으로써 높은 연산 효율을 갖는다. 현재 학계에서 SRAM과 non-volatile memory(NVM)을 이용한 아날로그 방식의 곱셈 및 누산 연산기 관련 연구가 활발하게 진행되고 있지만, 본 MPW에서는 데이터와 근접한 곳에서 연산을 한다는 PIM 기술의 효율을 극대화하기 위해 DRAM을 활용한 PIM 연산기를 제안한다. DRAM을 이용할 시 연산 자체의 효율뿐만 아니라 SRAM을 이용한 PIM에 비해 데이터 이동 횟수 및 데이터 재이용 측면에서 높은 효율을 기대할 수 있다. 설계하는 회로는 Samsung 28nm LPP 공정을 이용하며, 최대 동작 주파수는 100MHz 이상, 코어 동작 전압은 1.0V이다. |
