| IP명 | 다중 대역을 만족하는 집적화된 CMOS Power Amplifier | ||
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| Category | RF | Application | RF block |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2.4GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1703 |
| IP개요 | 본 회로는 다중 대역(0.9/1.8/2.4 GHz)을 지원하는 CMOS Power Amplifier 에 관한 설계이다. 추가적인 회로 없이 집적화된 다중 대역 CMOS Power Amplifier를 설계하기 위해 기존에 연구 된 입력/출력 Transformer를 토대로 Matching Network의 가변 없이 다중 대역이 지원 가능한 Transformer를 제안하였고, 또한 Load-pull Simulation을 Power-cell 구조를 도출 하였다. 제안하는 CMOS Power Amplifier 회로는 CMOS 0.18 μm 공정을 사용하여 진행 예정에 있으며, 회로의 동작 주파수는 0.9/1.8/2.4 GHz 로 이때 각 주파수 에서의 Saturation Power는 26 dBm 을 확인하였다. 회로의 공급전압은 3.3 V이다. |
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- 레이아웃 사진 -
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