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전자소자가 고준위 펄스방사선에 노출되면 과도방사선효과(Transient radiation effect, TRE)에 의하여 예상치 않는 누설전류 경로가 형성되거나 기생 사이리스터(Thyristor)가 동작하게 되는 비이상현상이 발생한다. 이러한 현상은 업셋(Upset), 래치업(Latchup)과 같은 전기적 피해를 유발하여 전자시스템 전체의 데이터 오류나 번-아웃(Burn-out) 등의 치명적인 손상을 일으킨다. 본 논문에서는 고준위 펄스방사선으로부터 전자소자를 보호하기 위하여 고속으로 펄스신호 검출이 가능한 펄스방사선 검출회로를 제안하였다. 제안된 회로는 기존 검출회로에 비하여 고속으로 펄스방사선 검출신호를 발생시키며, 검출신호는 제어신호로 이용되어 비이상현상이 발생하기 전에 전자소자의 전원을 고속으로 차단하여 전자소자를 보호할 수 있다. 검출신호를 고속으로 출력할수록 전원이 인가된 상태에서 펄스 방사선에 노출되는 시간을 줄일 수 있기 때문에 방사선 손상을 최소화할 수 있다. 제안된 회로는 CMOS 0.18㎛ 공정에서 공급전압 3.3V, 아날로그 타입으로 설계되었으며 동작주파수는 수십MHz이다. |
