IP명 Processing LSTM in memory Category Mixed Application Processing LSTM 실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1.2V IP유형 동작속도 200Hz 검증단계 Silicon 참여공정 SS65-1802 IP개요 Processing LSTM in memory를 mixed circuit으로 구현한다. - 레이아웃 사진 -
