Logo

회원가입로그인 facebook naver youtube  

IP Library

홈 | MPW / CDC | IP Library

"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 Design of Low Noise Amplifier Using RF CMOS Process
Category RF Application Flatness gain Low noise amplifier
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1V
IP유형 Hard IP 동작속도 12GHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-1901
IP개요 RF CMOS 기술을 사용하여 RF 수신기에서 가장 중요한 저잡음 증폭기를 설계한다. 회로 유형으로서 LNA는 CS 2 단 구조로 설계한다.
- 레이아웃 사진 -