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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 5G 대역 및 30 GHz Point-to-Point 무선 통신을 위한 CMOS 전력 증폭기
Category Analog Application Wireless communication
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 2V
IP유형 Hard IP 동작속도 30GHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-1901
IP개요 28 nm CMOS 공정을 이용하여 제작하고자 하는 RF 전력증폭기를 본 제안서를 통해 소개한다. 해당 전력 증폭기는 5G (28 GHz) 또는 30 GHz 대역에서 동작한다. 제안하는 5G 대역 전력 증폭기는 본 연구실에서 65 nm 공정을 사용하여 기설계되었으나, 65 nm 공정을 사용하여서는 원하는 경쟁력 있는 성능이 나오지 않는다. 따라서 28 nm 공정을 사용하여 더 우수하고 경쟁력을 가지는 전력 증폭기를 설계하고자 하였다
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