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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 SAR ADC를 이용한 저전력 ADC 설계
Category Mixed Application 통신용 회로 설계
실설계면적 4㎛ X 1㎛ 공급 전압 1,1.8V
IP유형 Hard IP 동작속도 100MHz
검증단계 Silicon 참여공정 HM-1901
IP개요 SAR ADC는 저전력 Data Converter에 적합한 구조로 고속 동작이 가능하지만, 고해상도 구현시 캐패시터 DAC의 크기가 커지는 단점이 있다. 이를 극복하기 위해 C-2C나 Spilt구조의 CDAC을 이용하는 방법이 있는데, 이러한 구조의 CDAC은 기생캐패시턴스 성분때문에 선형성이 문제가 됨다. 본 IP에서는 이러한 문제를 해결할수 있는 새로운 신개념의 설계방법을 제시하고, prototype ADC를 TSMC65nm 1V GP 공정을 이용하여 최대 동작주파수 300Msps에 고해상도를 가지는 저전력 SAR ADC를 설계함.
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