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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 고주파 능동 인덕터를 이용한 광대역 저잡음 증폭기
Category Analog Application 광대역 저잡음 증폭기
실설계면적 2㎛ X 4㎛ 공급 전압 1.1V
IP유형 동작속도 5Hz
검증단계 Silicon 참여공정 HM-IP
IP개요 해당 구조의 중요한 아이디어는 second stage인 능동 인덕터 증폭기임. 능동 인덕터 증폭기의 로드를 self-bias 능동 인덕터를 사용하였고 기존회로의 전류를 능동 인덕터에 재사용했음. 이를 통해 능동 인덕터의 추가 전류가 필요하다는 단점을 해결하고자 함. 능동 인덕터 증폭기는 NMOS와 PMOS에 동시에 입력이 인가되는 Complementary 구조로 구성되었으며 Cross couple capacitor에 의해 feedforward와 3 Positive feedback이 생성되어 추가전력소모 없이 광대역 특성을 향상시킬 수 있음. Cross couple capacitor와 능동 인덕터의 저항과 커패시터에 의해 High pass filter의 특성을 가지게 됨. 저항과 커패시터의 값을조절해 통과 주파수를 -3dB 롤오프 대역에 위치하도록 조절하여 광대역 특성을 향상시키고자 함. 또한 Cross couple capacitor에 의해 Positive feedback이 생성되도록 함. 생성된 Positive feedback에 의해 능동 인덕터 증폭기의 입력에 negative capacitance가 생성되고 negative capacitance가 기생 커패시턴스를 상쇄하여 first stage 증폭기의 -3dB 대역폭이 증가함. 따라서 제안하는 능동 인덕터 증폭기를 통해 추가 전력소모 없이 기존의 능동 인덕터 증폭기에 비해 더 넓은 광대역 특성을 얻을 수 있을 것으로 기대됨
- 레이아웃 사진 -