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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 Digital CMOS Image Sensors Using High-Sensitivity Photodetector
Category Analog Application CMOS image sensor
실설계면적 3400㎛ X 3400㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 Hard IP 동작속도 1GHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS65-2001
IP개요 Gate/Body-Tide P-MOSFET type 포토디텍터를 이용한 바이너리 CMOS 이미지 센서의 구현.
- 레이아웃 사진 -