IP명 PIM 로직 연산을 위한 3진 XNOR연산이 가능한 SRAM 셀 개발 Category Analog Application memory 실설계면적 5㎛ X 2.42㎛ 공급 전압 5V IP유형 Hard IP 동작속도 1MHz 검증단계 FPGA 참여공정 DB180-2501 IP개요 PIM 로직 연산을 위한 3진 XNOR연산이 가능한 SRAM 셀 개발 - 레이아웃 사진 -
