| IP명 | A Variation-Tolerant STT-MTJ-based TRNG Using an Energy-Efficient Binary Search Pulse-Width Control Scheme | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | Foundry Application |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1 / 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SF028-2501 |
| IP개요 | TRNG는 칩 고유의 확률적 변동성을 이용하여 예측 불가능한 난수를 생성하는 application으로, 높은 엔트로피와 불편향성을 유지해야 하며, 전압이나 온도와 같은 환경적 변화에도 강건해야 한다. 본 IP는 STT-MRAM 기반의 TRNG를 제안한다. 제안하는 구조는 binary search 기반의 pulse-width calibration과 adaptive erase 기법을 통해 PVT 변동에도 안정적으로 50% 전환 확률을 유지하며 randomness를 확보할 수 있다. 또한 불필요한 erase 동작을 줄여 에너지 효율을 크게 개선하였고, on-chip calibration의 경량화된 feedback 회로를 통해 저전력에서도 안정적인 비트 발생이 가능하다. 이를 통해 기존 방식 대비 낮은 전력소모와 빠른 보정 속도로 동작하며, 보안 응용에 적합한 고품질 난수열을 제공한다. | ||
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