| IP명 | 완전 집적화한 D밴드 단일 포트 회로망 분석기용 칩 설계 | ||
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| Category | Analog | Application | 통신 |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 130G-150GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SF028-2601 |
| IP개요 | 본 연구는 D 밴드(110–170 GHz) 연구 인프라의 접근성을 향상시키기 위해, 고가의 상업용 회로망 분석기를 대체 또는 보완할 수 있는 주파수 확장 모듈용 칩과 단일 칩 기반 Reflectometer 칩을 제안한다. 제안하는 주파수 확장 칩은 8체배기, 혼합기, 방향성 결합기 및 도파관 급전 구조를 단일 칩에 집적하여, 20 GHz 대 상용 회로망 분석기를 D 밴드까지 확장하는 기능을 제공한다. 또한, 동일 구조에 PLL 및 ADC를 추가 집적한 Reflectometer 칩은 외부 계측 장비 없이 단일 포트 반사계수(S11)를 직접 측정할 수 있는 완전 독립형 측정 시스템을 구현한다. 현재 28nm CMOS 소자는 150 GHz 이상에서 이득 저하가 급격해, 본 설계에서는 D 밴드에서 응용이 가장 많은 110~150GHz 대역을 목표로 설계한다. 특히, D 밴드에서 구현이 어려운 온칩 방향성 결합기와 도파관 직접 구동 구조를 통합함으로써, 기존 계측 장비 대비 소형화 및 저비용화를 동시에 달성하고자 한다. 제안된 시스템은 상업용 고정밀 장비 대비 정확도는 제한적이나, 안테나 및 RF 모듈의 초기 성능 평가 및 연구용 계측 환경에서는 충분한 성능을 제공할 것으로 기대된다. 이를 통해 D 밴드 연구의 진입 장벽을 낮추고 관련 응용 분야의 활성화에 기여할 수 있다. |
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- 레이아웃 사진 -
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