| IP명 | 저전압 구동을 위한 DTMOS 기반 Non-BJT 온도 센서 및 DAA 기반 통합 PVT 모니터링 회로 설계 | ||
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| Category | Analog | Application | IoT |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10M~20MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SF028-2601 |
| IP개요 | 본 설계는 28nm FD-SOI 공정을 활용하여 고성능 SoC의 발열 관리 및 전력최적화를 위한 저전압 구동형 PVT Sensor 설계를 제안한다. 본 제안서에서는 문턱전압의 한계를 극복할 수 있는 Non-BJT 기반의 Digital-Assisted Analog(DAA) 구조를 채택하였다. 온도 센서는 Dynamic Threshold MOS(DTMOS)와 Current based VCO을 활용하여 저전압 환경에서도 정밀한 온도 코드 변환이 가능하도록 설계하였으며, V-sensor와 P sensor는 다수의 RO(Ring Oscillator)를 배치하여 선형성과 공정 변동 추정의 정확도를 높였다. 제안된 센서 회로는 실시간으로 데이터를 출력하여 DVFS 및 AVS와 같은 전력 최적화 기법의 핵심 데이터를 제공한다. 본 설계는 4,000μm × 4,000μm 면적 내에 배치되며, 이를 통해 SoC의 수율 향상 및 효율적인 열적 관리에 기여할 것으로 기대된다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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