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IP명 CMOS 기반의 선형 고주파 전력 증폭기
Category Analog Application Mobile application
실설계면적 2.5㎛ X 2.5㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 Hard IP 동작속도 3GHz
검증단계 Silicon 참여공정 MS180-1502
IP개요 현재의 무선 통신을 지원하기 위한 고주파 회로 역시 기존 기술에 비하여 점점 더 발전 된 기술의 개발이 요구 되고 있다. 기존의 화합물 반도체로 설계된 전력증폭기를 단가 절감 및 다기능 탑재를 위해 CMOS 기반의 전력증폭기를 설계한다. CMOS 기술로 설계시 단점들을 보완하기 위해 Differential cascode 구조와 입출력 Transformer 및 Multi-stage를 사용하였다. 그 결과 Peak output power 32 dBm, PAE 20%의 결과를 얻었다.
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