| IP명 | 65nm공정을 바탕으로 극저전압에서 동작하는 TFET (tunneling fet) 기반 에너지하베스팅 기반 설계기술 | ||
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| Category | Analog | Application | Low Voltage IC |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.2VV |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS65-1901 |
| IP개요 | high speed & low voltage logic and amplifier 0.5V 이하에서 동작하는 RF에너지(ISM-band, 920MHz) harvesting 아날로그 회로 TFET은 tunneling effect를 통해 동작하기 때문에 short-channel CMOS device와는 다르게 Subthreshold Swing(SS)을 60mV/dec. 이하로 구현 가능. RF energy harvesting system의 일반적인 구현 목적은 RF에너지를 외부 전원으로 삼아 칩 내부 동작에 RF 외부 에너지를 활용하여 칩의 구동시간을 증가시키는 것입니다. |
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