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IP명 Reconfigurable Noise-Shaping SAR ADC and a High Efficiency LDO with Low Supply Voltage for PIM Application
Category Mixed Application ADC, LDO
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1V
IP유형 Hard IP 동작속도 200MHz
검증단계 Silicon 참여공정 SS28-2301
IP개요 회로 설계된 2가지 회로는 PIM(Process-In-Memory) application을 목표로 제작됨

1. ADC
- Bandwidth(BW)와 resolution을 가변함으로써
하나의 ADC로 PIM 동작 상황에 적합하게 동작할 수 있도록 제작됨
1) Training: high resolution, low BW
2) Inference: low resoultion, high BW
- 1st order Noise shaping SAR ADC (NS-SAR) 구조를 이용해 5bit/ 8bit resolution 목표로 설계를 구현함
- Full chip 내에서는 1 Core, 1 Test block으로 구성됨

2. LDO
- Low drop out volatge를 위해 NMOS pass transistor와 switched capacitor 기반 charge pump를 이용
- Low input voltage를 이용해 아날로그 방식으로 regulation하면서 디지털 방식 대비 regulation 정확도를 높이고 전력 손실을 줄임
- Full chip 내에서는 3 Core로 구성됨
- 레이아웃 사진 -