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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 고성능 광신호 검출용 아날로그 프론트엔드 설계
Category Mixed Application OTDR
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1.2V
IP유형 Hard IP 동작속도 500MHz
검증단계 Simulation 참여공정 SS65-1902
IP개요 본 연구는 OTDR 의 아날로그 부분을 개발하여 시제품 형태의 보드 개발 및 제작을 목적으로 한다. OTDR 을 구성하기 위한 광펄스 OPTIC 보드의 아날로그 부분을 하나의 칩으로 직접화 하여 개발한다. ADP 의 신호를 증폭시키기 때문에 잡음에 가장 민감하게 반응하는 TIA 의 증폭도를 높이고 저 잡음 설계 기법을 적용하여 높은 SNR 을 구현하는 설계를 한다. SNR 을 증가시켜 높은 dynamic range 를 구현 함을 목적으로 한다. 본 연구는 Samsung 65nm 공정을 이용하여 1.2V 공급전압 하에서 12bit, 50MS/s 수준의 고정밀 고속 ADC 를 설계 및 개발하여 높은 data rate 를 구현하고, 10mW 수준의 저전력 설계 기법을 적용하여 전력 소모를 최소화 한다.
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