| IP명 | SRAM Write Assist Circuit Using Cell Supply Voltage Self-Collapse With Bitline Charge Sharing for Energy-Efficient Near-Threshold Operation | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | Foundry Application |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.0~0.5V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 10MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS28-2201 |
| IP개요 | 해당 IP는 공정미세화에 따라 급격하게 증가하는 저항으로 인한 SRAM 수율 저하 문제를 해결하기 위한 SRAM Write assist 방법 및 주변회로를 포함한다. 전하 Injection 및 Emission 기법이 적용되었으며, Replica BL timing generation 회로를 결합하여 기법 구현을 위한 최적의 타이밍을 자동으로 생성한다. 이를 통해 고저항 환경에서 SRAM 쓰기 수율 저하를 효과적으로 완화시켜 고수율 및 고밀도 SRAM 구현을 가능하게 한다. | ||
- 레이아웃 사진 -
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