IP명 | Design of CMOS Antenna for sub-millimeter Wave applications | ||
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Category | Analog | Application | 통신 |
실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 0V |
IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 0Hz |
검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS65-1602 |
IP개요 | 65 nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 에서 동작하는 온-칩 안테나를 설계 및 제작한다. 제작된 온-칩 안테나 성능이 10% 이상의 10 dB 대역폭과, 10% 이상의 방사효율을 목표로 한다. 제작된 온-칩 안테나를 원거리장 측정 셋업을 통해 지향성, 방사패턴, 방사효율, 이득 등의 성능을 측정한다. 300 GHz 의 외부 신호원을 사용하여 송신부를 구성하거나, 300 GHz 에서 동작하는 발진기를 설계하여 설계한 온-칩 안테나와 집적을 통해 송신기를 구성한 뒤, 온-칩 안테나의 성능을 측정한다. | ||
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