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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 LDMOS RF Power Amplifier for LTE application
Category RF Application Wireless Communication
실설계면적 5㎛ X 5㎛ 공급 전압 4V
IP유형 Hard IP 동작속도 900MHz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-1901
IP개요 전력 증폭기는 RF Front end module에서 반드시필요한 블록 중 하나이다. 무선 통신 시스템에서 다른 시스템과 송수신하기 위한 안테나와 연결이 되어 있고 전력증폭기의 출력은 안테나가 방사하는 전력의 레벨과도 관계가 깊다. CMOS 공정의 발달로 공정의 Channel length는 점차 작아지고 이에 따라 소자의 특성인 전력소모, 주파수특성 등이 향상되고 있다. 그러나 Channel length가 작아짐으로써 소자에 공급하는 전압이 낮아지고 있으며 소자가견딜 수 있는 전압이 낮아짐으로써 전력증폭기가 낼 수 있는 전력의 최대치 또한 제한받게 된다. LDMOS는 Gate-drain의거리를 확장시켜 소자가 견디는 전압을 증가시킬수 있고 제한되는 출력을 증가시킬 수 있다. BCD 180nm 1P6M process에서 LDMOS 소자를 이용하여 differential common source 구조로 power amplifier를 설계하였다. 공급전압 4 V로 설계하였고 900 MHz 에서 gain 19.18 dB,saturation power 30.95 dBm, 이 때의 PAE는 44.3 %의simulation result를 보였다. Layout의 총 크기는 1.98 x 1.3 mm2 이다.
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